電子級超純水中國國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T11446.1-1997)
電子級超純水中國國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T11446.1-1997)
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子級水的級別、要求、試驗方法和檢驗規(guī)則。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子元器件生產(chǎn)和清洗用水。
2引用標(biāo)準(zhǔn)
下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文,通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用麗構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時,所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂,使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)zui新版本的可能性。
GB/T 11446.3——1997 電子級水測試方法通則
GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試方法
GB/T 11446.5——1997 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法
GB/T 11446.6——1997 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法
GB/T 11446.7——1997 電子級水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測試方法
GB/T 11446.8——1997 電子級水中總有機(jī)碳的測試方法
GB/T 11446.9——1997 電子級水中微粒的儀器測試方法
GB/T 11446.10——1997 電子級水細(xì)菌總數(shù)的濾膜培養(yǎng)測試方法
3定義
本標(biāo)準(zhǔn)采用下列定義。
3.1電子級水electronic grade water
制造電子元器件工藝過程中所用的高純水。
3.2電阻率resistivity
在規(guī)定溫度下,1 cm2水溶液兩相對面之間測得的電阻值。通常用符號P表示,單位為Ω﹒cm,純水的理論電阻率為18.3 MΩ﹒cm (25℃)。
3.3全硅total silicon
水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。
3.4可溶性硅soluble silicon
以單一分子狀態(tài)存在于水中的溶解性硅酸鹽。
3.5微粒性物質(zhì)granular matter
除氣體以外,以非液態(tài)分散在水中,并形成非均相混合物的物質(zhì)。
3.6總有機(jī)碳(TOC) total organic carbon
水中以各種有機(jī)物形式存在的碳的總量。包括易被一般強(qiáng)氧化劑氧化的有機(jī)物和需用特殊方法氧化的有機(jī)物。
3.7吸附absorption
某些多孔性粒狀物質(zhì)由于表面活性作用而具有吸著某些物質(zhì)的能力。
3.8凝聚coagulation
在源水中加入某種電解質(zhì)后,水中帶有電荷的膠體微粒被電解質(zhì)中的異種電荷中和,從而使其聚集成較大顆粒而沉降的現(xiàn)象。
3.9絮凝flocculation
水中的微粒在一定條件下相互碰撞而集結(jié)為絮狀沉淀的現(xiàn)象。絮凝一般是在凝聚作用后
緩慢進(jìn)行,可除去水中更細(xì)的微粒。
3.10砂濾器sand filter
用于盛放不同直徑的砂粒,以除去源水中懸浮固體和混濁物的裝置。
3.11活性碳過濾器activated carbon filter
裝有粒狀活性碳的過濾器,用于除去水中的可溶性有機(jī)物和過量的殘余氯。
3.12離子交換ion exchange
一種不溶性物質(zhì)與一種液體之間相互交換離子的可逆過程,該過程中物質(zhì)并無實質(zhì)性結(jié)構(gòu)變化。
3.13去離子水deionized water
經(jīng)過離子交換處理,除去了呈離子形式的雜質(zhì)的高純水。
3. 14再生regeneration
離子交換過程操作循環(huán)中的一部分。在該部分中,用一定量的化學(xué)試劑通過離子交換樹脂使其恢復(fù)交換能力。
3.15復(fù)合床complex bed
將陽離子交換樹脂和陰離子交換樹脂分別裝入兩個離子交換柱中,將兩柱串聯(lián),使水依次通過兩個柱而被純化,復(fù)合床處理水的純度雖不及混合床,但操作較簡單。
3.16混合床mixed bed
將陽離子交換樹脂和陰離子交換樹脂混合均勻,填充于同一離子交換柱中,其純化效果相當(dāng)于許多組合床串聯(lián)使用,出水質(zhì)量好但再生比較麻煩。
3.17電滲析electrodialysia
一種分離水中離子的方法。在電滲析器中,陰陽兩極之間用交替排列的陰、陽離子交換膜分隔成一系列小室,水流通過小室時,在直流電場作用下,水中陽離子向陰極方向移動,但不能通過陽膜;陰離子則相反。這樣就形成相間存在的濃、淡水室而達(dá)到提純水的目的。
3.18反滲透reverse osmosis
亦稱逆向滲透。一種利用滲透原理進(jìn)行分離的方法。用半透膜將濃水和淡水隔開,并在濃水上施加比滲透壓更強(qiáng)的機(jī)械壓力,則濃水中大部分水透過半透膜而雜質(zhì)仍留在其中,達(dá)到分離提純的目的。
3.19反滲透膜reverse osmosis membrane
用于反滲透法制備純水的一種合成薄膜,其孔徑一般為0. 02 μm或更小,可用于除去無機(jī)離子、有機(jī)物、細(xì)菌等,使水純化。
3. 20微孔膜濾器membrane filter
一種平均孔徑(直徑)大于0. Olμm的薄膜,能把大于平均孔徑的微粒截留在其表面或附近。
3.21超過濾uhrafihration
一種過濾方法,在一定壓力下使水流通過超濾膜以除去水中的極細(xì)微粒、膠體和細(xì)菌等。
3.22終端terminal
高純水生產(chǎn)流程中經(jīng)過各道凈化工藝后,水的出口或使用地點。
4、分類
4.1電子級水分為四個級別;I級、Ⅱ級、Ⅲ級和Ⅳ級。
4.2標(biāo)記
I級電子級水標(biāo)記為:EW-I;
I級電子級水標(biāo)記為;EW-Ⅱ;
I級電子級水標(biāo)記為;EW-Ⅲ;
Ⅳ級電子級水標(biāo)記為.EW-Ⅳ。
5要求
電子級水的技術(shù)指標(biāo)應(yīng)符合表1的規(guī)定。
6試驗方法
6.1電阻率
電子級水的電阻率按GB/T11446.4--1997的測試方法進(jìn)行測定。
6.2全硅含量(以二氧化硅計)
電子級水全硅(以二氧化硅計)含量按GB/T11446.6--1997的測試方法進(jìn)行測定。
6.3微粒數(shù)
電子級水中微粒數(shù)按GB/T11446.9--1997的測試方法進(jìn)行測定。
6.4細(xì)菌總數(shù)
電子級水中細(xì)菌總數(shù)按GB/T11446.10--1997的測試方法進(jìn)行測定。
6.5痕量金屬含量
電子級水中痕量金屬的含量按GB/T11446. 5--1997的測試方法進(jìn)行測定。
6.6氯離子,硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的含量
電子級水中氯離子、硫酸根離子、硝酸根離子、磷酸根離子等陰離子的含量按GB/T 11446.7-- 1997的測試方法進(jìn)行測定。
6.7總有機(jī)碳含量
電子級水中總機(jī)碳含量按GB/T11446.8--1997的測試方法進(jìn)行測定。
7 檢驗規(guī)則
7.1檢驗部門
電子級水的檢驗均應(yīng)在制造廠的水質(zhì)檢驗部門進(jìn)行。
7.2檢驗分類
電子級水的檢驗分為交收檢驗和例行檢驗。
7.3交收檢驗(抽驗項目)
7.3.1電子級水技術(shù)指標(biāo)中電阻率、鈉離子、全硅(以二氧化硅計)為交收檢驗項目。
7.3.2在用水終端采樣試驗后檢驗結(jié)果如有一項不合格時,應(yīng)再次采樣進(jìn)行檢驗,如仍有一項指標(biāo)不合格,應(yīng)提出改進(jìn)措施直到水質(zhì)合格。
7.4例行檢驗(全檢項目)
例行檢驗每年進(jìn)行一次,當(dāng)制水條件發(fā)生變更時也應(yīng)進(jìn)行例行檢驗。
7.4.1檢驗項目為表1規(guī)定的全部技術(shù)指標(biāo)要求。
7.4.2在用水終端采樣后進(jìn)行例行檢驗,檢驗結(jié)果如有一項以上不合格時,應(yīng)再次采樣進(jìn)行檢驗,如仍有一項以上指標(biāo)不合格,應(yīng)提出改進(jìn)措施直到水質(zhì)合格。
8 采樣、貯存、運輸及標(biāo)志
8.1 電子級水的采樣、貯存運輸按GB/T11446.3--1997的規(guī)定。
8.2標(biāo)志:在用水終端采樣進(jìn)行檢驗時,水質(zhì)合格后應(yīng)附有檢驗合格證,合格證應(yīng)注明;
a) 名稱及級別;
b) 各項技術(shù)指標(biāo);
c) 制水單位;
d) 供水日期;
e) 檢驗員簽章及檢驗日期。
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